반도체 미세화의 ‘더 큰 눈’이 생산라인에 들어왔다
SEMICONDUCTOR · LITHOGRAPHY 반도체 미세화의 ‘더 큰 눈’이 생산라인에 들어왔다 High NA EUV는 더 작은 회로를 그리는 장비 한 대의 이야기가 아니다. 인텔의 실제 생산 경험, 삼성의 2028년 DRAM 계획, 12인치 포토마스크 구상까지 이어지며 반도체 제조 생태계 전체의 다음 표준을 시험하고 있다. 반도체 산업에서 ‘더 작게 그린다’는 말은 오래도록 성능 향상의 가장 강력한 문법이었다. 트랜지스터를 더 촘촘하게 배치하면 같은 면적에 더 많은 기능을 넣을 수 있고, 배선 길이를 줄이며, 전력과 성능을 함께 개선할 여지가 생긴다. 그러나 선폭이 극도로 작아진 지금의 미세화는 단순한 축소가 아니다. 광학·재료·마스크·식각·계측·설계를 동시에 바꾸는 시스템 공학에 가깝다. 2026년 9월, 그 변화의 중심에 High NA EUV가 다시 섰다. 인텔 파운드리와 ASML은 High NA 장비에서 지금까지 100만 장이 넘는 웨이퍼가 처리됐다고 밝혔다. 여기에는 장비 인증과 시험, 연구개발, 그리고 일부 인텔 코어 울트라 시리즈 3 제품의 선택 레이어 양산이 함께 포함된다. 같은 시기 삼성전자는 2028년 미래 DRAM 양산에 High NA EUV를 도입할 계획을 공개했고, TSMC와 ASML은 더 큰 12인치 포토마스크로 넘어가기 위한 장기 공동 구상도 내놨다. 이 세 움직임을 한 줄로 놓으면 의미가 선명해진다. High NA는 더 이상 ‘언젠가 올 차세대 장비’만은 아니다. 한 업체에서는 제한된 범위지만 실제 제품 생산에 들어갔고, 다른 업체는 메모리 양산 시점을 제시했으며, 업계는 그 다음 생산성 병목을 해결하기 위한 마스크 규격까지 논의하기 시작했다. 다만 이것이 기존 EUV가 곧 사라진다는 뜻도, 모든 최첨단 공정이 즉시 High NA로 바뀐다는 뜻도 아니다. 핵심은 어느 레이어에서 비용과 공정 단순화의 균형이 맞느냐에 있다. 0.33에서 0.55로, ‘더 큰 눈’이 의미하는 것 EUV 노광은 약 13.5나노미터 파장의 극자...
